Outils pour utilisateurs
bb130:simulations_analogiques
Différences
Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.
| Les deux révisions précédentes Révision précédente | |||
|
bb130:simulations_analogiques [2019/11/27 16:38] bb130 |
bb130:simulations_analogiques [2019/11/27 16:40] (Version actuelle) bb130 |
||
|---|---|---|---|
| Ligne 1: | Ligne 1: | ||
| - | Modélisation des courants de fuite dans les MOS (S.Manen, fevv.19) | + | Simulation Corner des resistances type rnlplus (L.Royer, nov.19) |
| + | Il faut utiliser le composant rnlplus_2T pour les simu corners, le modèle à 3 terminaux n'étant pas pris en compte lors des simulations corner.\\ | ||
| + | |||
| + | Modélisation des courants de fuite dans les MOS (S.Manen, fev.19) | ||
| Les courants de fuite des transistors Nmos ne sont pas correctement modélisés. Il faut donc suivre une procédure fournie par Jan Kaplon du CERN pour prendre en compte ces courants.\\ | Les courants de fuite des transistors Nmos ne sont pas correctement modélisés. Il faut donc suivre une procédure fournie par Jan Kaplon du CERN pour prendre en compte ces courants.\\ | ||
| {{:bb130:gate_leakage.pdf|}}\\ | {{:bb130:gate_leakage.pdf|}}\\ | ||
bb130/simulations_analogiques.txt · Dernière modification: 2019/11/27 16:40 par bb130
Outils de la page
