Différences

Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.

--- bb130:simulations_analogiques [2018/07/03 11:35]
bb130
+++ bb130:simulations_analogiques [2019/11/27 16:40] (Version actuelle)
bb130
@@ Ligne 1: / Ligne 1: @@
+   Simulation Corner des resistances type rnlplus (L.Royer, nov.19)
+Il faut utiliser le composant rnlplus_2T pour les simu corners, le modèle à 3 terminaux n'étant pas pris en compte lors des simulations corner.\\
+   Modélisation des courants de fuite dans les MOS (S.Manen, fev.19)
+Les courants de fuite des transistors Nmos ne sont pas correctement modélisés. Il faut donc suivre une procédure fournie par Jan Kaplon du CERN pour prendre en compte ces courants.\\
+{{:bb130:gate_leakage.pdf|}}\\
+{{:bb130:gate_leakage_model_readme.txt|}}\\
+{{:bb130:cerntsmcenablemodelnameeditinallmos.il.txt|}}\\
+{{:bb130:cornersetupwindow.png?200|}}
   Documentation de référence des modèles des composants de la techno (L.Royer, juillet 18)
@@ Ligne 45: / Ligne 54: @@
 >>**Best regards,
 Tuomas**
+<note tip> Pour simuler les pads, il est possible de générer leur vue extract et de la sélectionner dans la vue config lors de la simulation.</note>
   Changement vues standard <-> mismatch (N.Pillet, oct.17)