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bb130:simulations_analogiques
Différences
Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.
| Les deux révisions précédentes Révision précédente Prochaine révision | Révision précédente | ||
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bb130:simulations_analogiques [2018/07/03 11:35] bb130 |
bb130:simulations_analogiques [2019/11/27 16:40] (Version actuelle) bb130 |
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|---|---|---|---|
| Ligne 1: | Ligne 1: | ||
| + | Simulation Corner des resistances type rnlplus (L.Royer, nov.19) | ||
| + | Il faut utiliser le composant rnlplus_2T pour les simu corners, le modèle à 3 terminaux n'étant pas pris en compte lors des simulations corner.\\ | ||
| + | |||
| + | Modélisation des courants de fuite dans les MOS (S.Manen, fev.19) | ||
| + | Les courants de fuite des transistors Nmos ne sont pas correctement modélisés. Il faut donc suivre une procédure fournie par Jan Kaplon du CERN pour prendre en compte ces courants.\\ | ||
| + | {{:bb130:gate_leakage.pdf|}}\\ | ||
| + | {{:bb130:gate_leakage_model_readme.txt|}}\\ | ||
| + | {{:bb130:cerntsmcenablemodelnameeditinallmos.il.txt|}}\\ | ||
| + | {{:bb130:cornersetupwindow.png?200|}} | ||
| Documentation de référence des modèles des composants de la techno (L.Royer, juillet 18) | Documentation de référence des modèles des composants de la techno (L.Royer, juillet 18) | ||
| Ligne 45: | Ligne 54: | ||
| >>**Best regards, | >>**Best regards, | ||
| Tuomas** | Tuomas** | ||
| + | |||
| + | <note tip> Pour simuler les pads, il est possible de générer leur vue extract et de la sélectionner dans la vue config lors de la simulation.</note> | ||
| Changement vues standard <-> mismatch (N.Pillet, oct.17) | Changement vues standard <-> mismatch (N.Pillet, oct.17) | ||
bb130/simulations_analogiques.1530610515.txt.gz · Dernière modification: 2018/07/03 11:35 par bb130
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