Différences

Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.

--- bb130:simulations_analogiques [2019/02/26 09:00]
bb130
+++ bb130:simulations_analogiques [2019/11/27 16:40] (Version actuelle)
bb130
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-   Modélisation des courants de fuite dans les MOS (S.Manen, fevv.19)
+   Simulation Corner des resistances type rnlplus (L.Royer, nov.19)
-Les courants de fuite des transistors Nmos ne sont pas correctement modélisés. Il faut donc suivre une procédure fournie par Jan Kaplon du CERN pour prendre en compte ces courants.
+Il faut utiliser le composant rnlplus_2T pour les simu corners, le modèle à 3 terminaux n'étant pas pris en compte lors des simulations corner.\\
-{{:bb130:gate_leakage.pdf|}}
-  Fichiers de configurations pour les simulations corners (S.Manen, janv.19)
-Un exemple pour pointer sur les fichiers des modèles:\\ {{:bb130:config_corner.png?200|}}
+   Modélisation des courants de fuite dans les MOS (S.Manen, fev.19)
+Les courants de fuite des transistors Nmos ne sont pas correctement modélisés. Il faut donc suivre une procédure fournie par Jan Kaplon du CERN pour prendre en compte ces courants.\\
+{{:bb130:gate_leakage.pdf|}}\\
+{{:bb130:gate_leakage_model_readme.txt|}}\\
+{{:bb130:cerntsmcenablemodelnameeditinallmos.il.txt|}}\\
+{{:bb130:cornersetupwindow.png?200|}}
   Documentation de référence des modèles des composants de la techno (L.Royer, juillet 18)